相比较基于 5nm 工艺的 A14、A15 和 A16 芯片，苹果本次推出的 A17 Bionic 首次采用 3nm 制造工艺。
报道称 iPhone 15 Pro 系列所用 A17 Bionic 采用 N3B 工艺，而明年推出的机型将全面切换到 N3E 工艺。
果粉迷此前报道，台积电谈到了 3nm 基础版 (N3B) 节点以及 3nm 增强型 (N3E) 的部分数据。简单来说，N3E 是 N3B 稍微“廉价”一些的版本，放在最终芯片上可以说相比性能更注重的是功耗控制方面。对于新的 N3E 节点，高密度 SRAM 位单元尺寸并没有缩小，依然是 0.021 µm²，这与 N5 节点的位单元大小完全相同。
N3B 实装了 SRAM 缩放，其单元大小仅有 0.0199µm²，相比上一个版本缩小了 5%。N3E 的内存密度（ISO-assist circuit overhead）大约为 31.8 Mib / mm²。
