6月20号消息，台积电最近开始准备为苹果和英伟达试产2nm产品。
台积电将派1000名研发人员前往位于竹科目前正在建设的Fab 20晶圆厂工作专门研发2nm制程。据了解，该厂计划在2025年开始量产。
随着台积电在先进的逻辑技术上不断突破，台积电正在超越FinFET，并将2纳米节点商业化，这是一种以纳米片晶体管为特色的一流逻辑技术。
台积电业界领先的N2技术具有卓越的低Vdd性能，非常适合移动和可穿戴应用。此外，N2的超薄堆叠纳米片为高性能计算提供了一个新的能效计算水平。后侧电源导轨也将增加，以进一步提高性能。
台积电公布其2nm制程路线图，取代FinFET（鳍式场效应晶体管）后采用纳米片电晶体（Nanosheet）。
相较于N3，在相同功耗下，速度提升10~15%；相同速度下，功耗可以降低25~30%，如果成功量产，必然又是一代神U。
（图源自台积电官网）
编辑点评：凭借台积电的超强的科技实力，相信2nm的芯片量产之后，可以实现大幅度的性能超越。虽然当前的手机性能已经接近摩尔定律的极限，每一代的升级性能已经不如开始那么成倍的放大。在软件环境没有变化的基础上，芯片的性能上的迭代提高是重要的。
